کوره اکسیداسیون و نفوذ

Oxiddation and Diffusion Furnance

از این دستگاه برای رشد اکسید سیلیکون روی سطح ویفر سیلیکون و نفوذ ناخالصی به درون آن استفاده می شود.

درمواردی برای ساخت ادوات نیمه هادی لازم است که سطح لایه سیلکون اکسید شود و از نظر الکتریکی عایق شود. یا اینکه برای اچ سیلیکون در نواحی مطلوب ، ناحیه هایی را که نمی خواهیم اچ شوند را اکسید کنیم. دراین موارد یکی از تکنیکها، استفاده از کوره اکسیداسیون است. کوره اکسید خشک در دمای 1050 درجه اکسیداسیون را انجام می دهد و فقط گاز اکسیژن وارد محفظه شده و با سلسیوم سطح پیوند می دهد . نفوذ (Doping)فرایندی در ساخت قطعات نیمه‌رساناست که در آن ناخالصی‌هایی برای تغییر در ویژگی‌های الکتریکی نیمه‌رساناها به آنها افزوده می‌شود. به این دسته نیمه‌رساناها، نیمه‌رسانای غیرذاتی exterinsic گفته می‌شوددر مقابل نیمه‌رسانای ذاتی interinsic که نیمه‌رساناهای خالص گفته می‌شود. معمولاً عنصرهای ناخالصی در هنگام ساخت ویفر به نیمه‌رسانا افزوده می‌شوند. اگر نیاز باشد، سپس مقداری ناخالصی دیگر نیز به روش نفوذ یا کاشت یون افزوده می‌گردد. روش کاشت یون در تولید انبوه کاربرد بیشتری دارد زیرا کنترل‌پذیرتر است.