دستگاه زدایش عمودی عمیق با یون فعال

Deep Reactive Ion Etching

از این دستگاه برای برداشتن لایه های نانو متری تا میکرومتری از روی سطح سیلیکون استفاده می شود.

یکی از روشهای زدايش خشک که به طور گسترده ای در تکنولوژی ساخت قطعات نيمههادی و ابررسانا به کار می رود، روشDeep Reactive ion etching است.اين سيستم جهت ايجاد كانالهاي عميق و نانو و ميكرومتري در سيليكون براي ساخت قطعات MEMS/NEMS ساخت ترانزيستورهاي FET وكريستالهاي فوتوني كاربرد حياتي دارد. اين روش ترکيبی از زدايش فيزيکی و شيميايی است، که از محاسن اين روش میتوانبه بالاتر بودن سرعت زدايش نسبت به روش هاي ديگر و ناهمسانگرد و انتخابی بودن زدايش نسبت به روش های شيميايی (wet etching) كه براي ساخت ادوات MEMS همچنين ايجاد كانالهاي عمودي در سيليكون با قابليت كاربرد در ادوات فوتونيكي مهم است، اشاره کرد. در اين روش توسط يک ژنراتور فرکانس بالا با فرکانس 13.56 MHz ، از يک گاز فعال پلاسما ايجاد کرده و سطحي را که مي خواهيم روي آن عمل سونش انجام دهيم را روي کاتد قرار مي دهيم. بنابراين ذرات باردار مثبت موجود در پلاسما ، تحت اثر ميدان، با سرعت به سطح خورده و باعث کنده شدن لايه نشانده شده روي سطح مي شوند(سونش فيزيکي).از طرف ديگر چون پلاسما از يک گاز فعال تشکيل شده است، پلاسما با لايه نشانده شده روي سطح واکنش شيميايي نيز انجام داده و از اين طريق باعث حذف اين لايه مي شود(سونش شيميايي).